velikost: 8,89x8,89 mm barva: žlutá materiál čipu: GaAsP/GaP vlnová délka: 588 nm pouzdro: bílé difuzní minimální svítivost: 10 mcd typová svítivost: 50 mcd napětí v závěrném směru: 5 V proud v prospustném směru: 30 mA ztrátový výkon celkový: 105 mW
velikost: 8,89x8,89 mm barva: žlutá materiál čipu: GaAsP/GaP vlnová délka: 588 nm pouzdro: bílé difuzní minimální svítivost: 10 mcd typová svítivost: 50 mcd napětí v závěrném směru: 5 V proud v prospustném směru: 30 mA ztrátový výkon celkový: 105 mW