velikost: 3,81x19,05 mm barva: žlutá materiál čipu: GaAsP/GaP vlnová délka: 588 nm pouzdro: bílé difuzní minimální svítivost: 7 mcd typová svítivost: 40 mcd napětí v závěrném směru: 5 V proud v prospustném směru: 30 mA ztrátový výkon celkový: 105 mW
velikost: 3,81x19,05 mm barva: žlutá materiál čipu: GaAsP/GaP vlnová délka: 588 nm pouzdro: bílé difuzní minimální svítivost: 7 mcd typová svítivost: 40 mcd napětí v závěrném směru: 5 V proud v prospustném směru: 30 mA ztrátový výkon celkový: 105 mW