velikost: 5 mm barva: žlutá materiál čipu: GaAsP/GaP vlnová délka: 588 nm pouzdro: žluté difuzní minimální svítivost: 5 mcd typová svítivost: 20 mcd úhel vyzařování: 30 ° napětí v závěrném směru: 5 V proud v prospustném směru: 30 mA ztrátový výkon celkový: 105 mW