velikost: 3 mm barva: červená materiál čipu: GaAsP/GaP vlnová délka: 625 nm pouzdro: červené difuzní minimální svítivost: 8 mcd typová svítivost: 20 mcd úhel vyzařování: 40 ° napětí v závěrném směru: 5 V proud v prospustném směru: 30 mA ztrátový výkon celkový: 105 mW