velikost: 3 mm barva: červená/zelená materiál čipu: R=GaAsP/GaP, G=GaP vlnová délka: 625 nm pouzdro: bílé difuzní minimální svítivost: 7 mcd typová svítivost: R=30, G=25 mcd úhel vyzařování: 60 ° napětí v závěrném směru: 5 V proud v prospustném směru: R=30, G=25 mA ztrátový výkon celkový: 105 mW