velikost: 3 mm barva: žlutá materiál čipu: InGaAlP vlnová délka: 588 nm pouzdro: žluté difuzní minimální svítivost: 110 mcd typová svítivost: 250 mcd úhel vyzařování: 40 ° napětí v závěrném směru: 5 V proud v prospustném směru: 30 mA ztrátový výkon celkový: 125 mW